一、芯片概述与产品代际1.1 产品定位LY62256BSL-45SLI是台湾来扬科技Lyontek推出的工业级低功耗 CMOS 静态随机存取存储器SRAM。它采用经典的32K×8bit 存储架构总容量 256Kb262,144 位以 45ns 访问时间、1μA 典型待机电流25℃和-40℃~85℃工业级温度范围为特征以 28 引脚 SOP/STSOP 封装提供与业界标准 62256 SRAM 实现 Pin-to-Pin 引脚兼容是嵌入式系统外扩存储的主流选择。1.2 产品代际说明重要根据来扬官方 PCNProduct Change Notice产品变更通知LY62256 系列产品已完成代际更替旧产品EOL 停产 替代产品当前在售┌─────────────────────────┐ ┌─────────────────────────┐│ LY62256RL-xxLLb/xxSLb │ → │ LY62256BRL-45SLI ││ LY62256SL-xxLLb/xxSLb │ → │ LY62256BSL-45SLI ││ xx 35/55/70 class │ │ 仅 45ns 速度档 ││ b blank/E/I 温度 │ │ 统一工业级 -40~85℃ │└─────────────────────────┘ └─────────────────────────┘变更要点项目旧型号EOL新型号当前型号标识LY62256RL / LY62256SLLY62256BRL / LY62256BSL速度档35ns / 55ns / 70ns仅 45ns温度等级商业级(blank) / 扩展级(E) / 工业级(I)统一工业级 I (-40~85℃)代际后缀无 B带 B二、核心电气参数参数来源Lyontek LY62256B Datasheet Rev.1.2 (March 2024)2.1 基本参数表参数项符号LY62256BSL-45SLILY62256BSL-55SLI单位存储架构—32,768 × 832,768 × 8bit总容量—256 (262,144)256 (262,144)Kb (bits)读取访问时间tAA4555ns写周期时间tWC4555ns输出使能访问时间tOE2025ns工作电压VCC2.7 ~ 5.52.7 ~ 5.5V数据保持电压VDR1.5 (min)1.5 (min)V工作电流ICC12 (typ) / 18 (max)10 (typ) / 15 (max)mA待机电流 ISB1 25℃ISB11 (typ) / 3 (max)1 (typ) / 3 (max)μA待机电流 ISB1 全温区ISB17 (max)7 (max)μA温度范围TA-40 ~ 85-40 ~ 85℃封装类型—28-pin SOP / 28-pin STSOP28-pin SOP / 28-pin STSOP—引脚兼容—标准 62256标准 62256—操作模式—全静态无需刷新全静态无需刷新—输出—三态输出三态输出—2.2 逻辑电平参数参数条件最小值典型值最大值单位输入高电平 VIHVCC2.7~3.6V2.2—VCC0.5V输入高电平 VIHVCC4.5~5.5V0.5VCC—VCC0.5V输入低电平 VILVCC2.7~3.6V-0.5—0.6V输入低电平 VILVCC4.5~5.5V-0.5—0.8V输出高电平 VOHIOH -1.0mA2.4——V输出低电平 VOLIOL 2.1mA——0.4V输入漏电流 ILIVCC ≥ VIN ≥ VSS-1—1μA输出漏电流 ILO输出禁用状态-1—1μA⚠️SL与SLI后缀说明手册中SL和SLI均为-40℃~85℃工业级温度范围。区别在于待机电流的测试温度条件——SL在25℃下测试SLI在40℃下测试后者条件更严苛。三、读写时序分析3.1 读周期时序Read CycleLY62256B 支持三种读模式模式一地址控制读Address Controlled Read地址稳定后数据在 tAA≤45ns内有效/WE 必须保持高电平模式二/CE 控制读Chip Enable Controlled Read/CE 拉低后数据在 tACE≤45ns内有效/OE 需配合为低电平适合多片 SRAM 共享总线的场景模式三/OE 控制读Output Enable Controlled Read/OE 拉低后数据在 tOE≤20ns内有效可用于总线冲突避免读周期完整时序参数45ns版本参数符号最小值最大值单位读周期时间tRC45—ns地址访问时间tAA—45ns/CE访问时间tACE—45ns/OE访问时间tOE—20ns/CE到低阻态tCLZ10—ns/OE到低阻态tOLZ5—ns/CE到高阻态tCHZ—15ns/OE到高阻态tOHZ—15ns输出保持时间tOH10—ns3.2 写周期时序Write Cycle支持两种写模式/WE 控制写Write Enable Controlled/WE 低电平期间配合有效地址和输入数据完成写入写脉冲宽度 tWP ≥ 35ns45SLI 版本/CE 控制写Chip Enable Controlled/CE 低电平 /WE 低电平共同控制写使能适合多片选址场景写周期完整时序参数45ns版本参数符号最小值最大值单位写周期时间tWC45—ns地址有效到写结束tAW40—ns/CE有效到写结束tCW40—ns地址建立时间tAS0—ns写脉冲宽度tWP35—ns写恢复时间tWR0—ns数据建立时间tDW20—ns数据保持时间tDH0—ns⚠️关键设计注意写周期中地址建立时间 tAS 0ns地址可与/CE同时变化数据建立时间 tDW ≥ 20ns。设计时需确保 MCU 的 FSMC/EMI 时序满足以上约束。四、引脚定义与封装信息4.1 引脚功能表表格引脚名类型功能描述A0 ~ A14输入15位地址总线可寻址32,768个存储单元DQ0 ~ DQ7双向8位数据总线输入/输出/CE (CE#)输入芯片使能低电平有效/OE (OE#)输入输出使能低电平有效/WE (WE#)输入写使能低电平有效VCC电源电源输入2.7V ~ 5.5VVSS地接地GND4.2 封装类型数据手册 Rev.1.2 提供两种 28 引脚封装封装类型引脚数标称尺寸引脚间距SOP(330mil宽体)28-pin18.5mm × 8.6mm (MAX)1.27mmSTSOP(薄型缩小型)28-pin11.8mm × 8.0mm (NOM)0.55mmSOP封装关键尺寸手册值符号MINNOMMAX单位D (长度)——18.491mmE (宽度)——8.636mmE1 (本体宽)—11.811±0.305—mmA (高度)——3.048mme (引脚间距)—1.270—mmSTSOP封装关键尺寸手册值符号MINNOMMAX单位D11.6011.8012.00mmE7.808.008.20mmHD13.2013.4013.60mmA1.001.101.20mme—0.55—mm⚠️重要数据手册 Rev.1.2 已删除 28-pin 600mil P-DIP 封装当前仅有上述两种 28 引脚表面贴装封装。4.3 引脚排列示意图28-pin SOP顶视图┌──────────────────────────┐ VCC ─│ 28 27 │─ A12 /WE ─│ 26 25 │─ A7 A13 ─│ 24 23 │─ A6 A8 ─│ 22 21 │─ A5 A9 ─│ 20 LY62256B 19 │─ A4 A11 ─│ 18 17 │─ A3 /OE ─│ 16 15 │─ A2 A10 ─│ 14 13 │─ A1 /CE ─│ 12 11 │─ A0 DQ7 ─│ 10 9 │─ DQ0 DQ6 ─│ 8 7 │─ DQ1 DQ5 ─│ 6 5 │─ DQ2 DQ4 ─│ 4 3 │─ DQ3 VSS ─│ 2 1 │─ NC └──────────────────────────┘ ↓ Pin 1 标记侧⚠️ 注以上为根据功能框图和引脚描述整理的引脚排列示意图用于开发参考。实际PCB设计请以Lyontek官方封装尺寸图Package Outline Dimension为准。五、功耗特性与低功耗设计5.1 功耗对比分析以下对比 LY62256BSL-45SLI 与传统62256 的功耗差异参数LY62256BSL-45SLI (CMOS)传统CY62256 (CMOS)提升幅度工作电流 ICC 45ns12mA (typ) / 18mA (max)30~40mA↓ 60~70%待机电流 ISB1 25℃1μA (typ) / 3μA (max)100~300μA↓ 99.7%待机电流 ISB1 85℃7μA (max)500~1000μA↓ 98.6%数据保持电压1.5V2.0V更低工作电压范围2.7~5.5V4.5~5.5V更宽5.2 待机电流温度特性手册值测试条件封装温度典型值最大值/CE ≥ VCC-0.2VSL25℃1μA3μA/CE ≥ VCC-0.2VSLI40℃1.5μA3.5μA/CE ≥ VCC-0.2VSL-40℃~85℃—7μA/CE ≥ VCC-0.2VSLI-40℃~85℃—12μA5.3 电池续航估算以3.3V / 1000mAh 锂电池供电、99%时间待机、1%时间工作的典型场景平均电流 99% × 1μA 1% × 12mA ≈ 0.99μA 120μA ≈ 121μA 续航时间 1000mAh / 0.121mA ≈ 8264 小时 ≈ 344 天约11个月如果纯待机不工作续航时间 1000mAh / 0.001mA 1,000,000 小时 ≈ 114 年理论值设计建议利用 /CE 引脚控制芯片使能MCU 休眠前将 /CE 拉高进入待机模式可将系统待机功耗降至 1μA 级别。六、典型应用场景6.1 按行业分类 工业控制-40℃~85℃ 全温区优势PLC控制器梯形图程序缓存、I/O状态表工业网关Modbus/Profinet协议转换缓冲DAQ模块多通道ADC采样数据FIFO运动控制G-code解析缓存、插补数据 通信设备企业路由器路由表Cache、ACL规则缓存交换机MAC地址表、VLAN配置缓存基站BTS小区参数、信道配置存储️ 消费电子激光打印机页面描述语言(PCL)解析缓存POS终端交易数据临时存储、掉电保护安防DVR视频帧缓冲、事件日志 汽车电子车载IVI音频缓冲、UI资源缓存BCM模块车身状态、故障码存储T-BoxOTA升级包缓冲 医疗设备低功耗电池供电优势便携式心电图仪ECG采样数据缓存血氧仪PPG信号缓冲胰岛素泵给药记录、报警日志 仪器仪表数字示波器波形采样数据缓存频谱分析仪FFT中间结果缓存数据记录仪多通道传感器数据FIFO6.2 应用选型速查应用需求推荐型号关键理由电池供电/便携设备LY62256BSL-45SLI1μA待机电流 25℃严苛温度环境LY62256BSL-45SLI-40℃~85℃待机电流全温区≤7μA频繁读写缓存LY62256BSL-45SLI无限写入寿命5V/3.3V混合系统LY62256BSL-45SLI2.7~5.5V宽压兼容高速数据采集IS62C256AL-4545ns 更高IO驱动小尺寸PCBLY62256BRL-45SLISTSOP薄型封装七、常见问题FAQQ1LY62256BSL-45SLI的主要参数是什么A核心参数如下存储架构32,768 × 8bit32K×8总容量256Kb262,144 bits访问时间45ns读取/写入周期工作电压2.7V ~ 5.5V待机电流1μAtyp 25℃/ 3μAmax 25℃/ 7μAmax 全温区数据保持电压1.5V最低温度范围-40℃ ~ 85℃工业级封装28-pin 330mil SOP / 28-pin 8mm×13.4mm STSOP引脚兼容标准 62256 Pin-to-PinQ2这款SRAM的读写速度怎么样A读取访问时间 tAA 45ns输出使能访问时间 tOE ≤ 20ns写周期时间 tWC 45ns。这一速度等级可满足8位/16位MCU外部总线无需等待周期STM32 FSMC接口DataSetupTime6即可满足显示缓冲、打印缓存、工业数据缓存等实时应用Q3通常用在哪些设备里ALY62256BSL-45SLI广泛应用于工业控制PLC、工业网关、DAQ模块、运动控制器通信设备路由器、交换机、基站控制板消费电子打印机缓存、POS机、安防DVR汽车电子车载IVI、BCM、T-Box医疗设备便携式监护仪、血氧仪、胰岛素泵仪器仪表数字示波器、频谱分析仪、数据记录仪核心适用场景特征低功耗需求工业级温度频繁读写。Q4封装类型是什么ALY62256BSL-45SLI提供两种28引脚封装28-pin 330mil SOP宽体小外形封装尺寸约 18.5mm × 8.6mmMAX1.27mm引脚间距28-pin 8mm×13.4mm STSOP薄型缩小型封装尺寸约 11.8mm × 8.0mmNOM0.55mm引脚间距两种封装均为标准28引脚排列Pin-to-Pin Compatible可直接替换Cypress CY62256、ISSI IS62C256A等同类产品。手册当前版本仅提供28引脚封装无32引脚版本。Q5电压要求是多少A正常工作电压2.7V ~ 5.5V兼容3.3V和5V系统数据保持电压最低1.5V掉电模式下数据不丢失输入高电平 VIH≥ 2.2V3.3V系统/ ≥ 0.5VCC5V系统输入低电平 VIL≤ 0.6V3.3V系统/ ≤ 0.8V5V系统设计提示在3.3V系统中可直接连接无需电平转换。如果用于5V→3.3V混合系统2.7V最低工作电压提供了良好的兼容性裕量。Q6寿命有多长A写入耐久性无限次SRAM基于6T触发器无写入磨损数据保持需持续供电SRAM为易失性存储器数据保持电压最低1.5V即可保持数据全静态操作无需刷新周期失效率7.57 FIT 70℃实测值来源Lyontek可靠性报告ESD防护HBM 4kV / CDM 1.2kV实测值Latch-up免疫400mA实测值⚠️ 注意SRAM为易失性存储器断电后数据丢失。如需掉电保持需外加后备电池如CR2032纽扣电池二极管隔离电路利用1.5V数据保持电压特性实现电池备份。Q7温度范围是多少A工业级-40℃ ~ 85℃。全温度范围内待机电流 SL ≤ 7μAmaxSLI ≤ 12μAmax读写时序参数保持 45ns 规格数据保持电压保持 1.5VminQ8LY62256和LY62256B有什么区别ALY62256不带B为旧版本已EOL停产LY62256B带B为当前替代版本是来扬官方唯一在售的型号。替代原因晶圆厂制程EOL。两者在电性功能、品质和可靠性方面完全兼容。替代版本统一提供工业级-40℃~85℃不再提供商业等级。版权声明本文为技术资料整理参数分别核对于Lyontek LY62256B Datasheet Rev.1.2、可靠性报告310-9N8-AL1 Rev.A及官方PCN文件。如涉及芯片采购请通过正规授权渠道以确保产品质量。
LY62256BSL-45SLI 技术解析：32K×8低功耗SRAM
发布时间：2026/6/23 12:26:11
一、芯片概述与产品代际1.1 产品定位LY62256BSL-45SLI是台湾来扬科技Lyontek推出的工业级低功耗 CMOS 静态随机存取存储器SRAM。它采用经典的32K×8bit 存储架构总容量 256Kb262,144 位以 45ns 访问时间、1μA 典型待机电流25℃和-40℃~85℃工业级温度范围为特征以 28 引脚 SOP/STSOP 封装提供与业界标准 62256 SRAM 实现 Pin-to-Pin 引脚兼容是嵌入式系统外扩存储的主流选择。1.2 产品代际说明重要根据来扬官方 PCNProduct Change Notice产品变更通知LY62256 系列产品已完成代际更替旧产品EOL 停产 替代产品当前在售┌─────────────────────────┐ ┌─────────────────────────┐│ LY62256RL-xxLLb/xxSLb │ → │ LY62256BRL-45SLI ││ LY62256SL-xxLLb/xxSLb │ → │ LY62256BSL-45SLI ││ xx 35/55/70 class │ │ 仅 45ns 速度档 ││ b blank/E/I 温度 │ │ 统一工业级 -40~85℃ │└─────────────────────────┘ └─────────────────────────┘变更要点项目旧型号EOL新型号当前型号标识LY62256RL / LY62256SLLY62256BRL / LY62256BSL速度档35ns / 55ns / 70ns仅 45ns温度等级商业级(blank) / 扩展级(E) / 工业级(I)统一工业级 I (-40~85℃)代际后缀无 B带 B二、核心电气参数参数来源Lyontek LY62256B Datasheet Rev.1.2 (March 2024)2.1 基本参数表参数项符号LY62256BSL-45SLILY62256BSL-55SLI单位存储架构—32,768 × 832,768 × 8bit总容量—256 (262,144)256 (262,144)Kb (bits)读取访问时间tAA4555ns写周期时间tWC4555ns输出使能访问时间tOE2025ns工作电压VCC2.7 ~ 5.52.7 ~ 5.5V数据保持电压VDR1.5 (min)1.5 (min)V工作电流ICC12 (typ) / 18 (max)10 (typ) / 15 (max)mA待机电流 ISB1 25℃ISB11 (typ) / 3 (max)1 (typ) / 3 (max)μA待机电流 ISB1 全温区ISB17 (max)7 (max)μA温度范围TA-40 ~ 85-40 ~ 85℃封装类型—28-pin SOP / 28-pin STSOP28-pin SOP / 28-pin STSOP—引脚兼容—标准 62256标准 62256—操作模式—全静态无需刷新全静态无需刷新—输出—三态输出三态输出—2.2 逻辑电平参数参数条件最小值典型值最大值单位输入高电平 VIHVCC2.7~3.6V2.2—VCC0.5V输入高电平 VIHVCC4.5~5.5V0.5VCC—VCC0.5V输入低电平 VILVCC2.7~3.6V-0.5—0.6V输入低电平 VILVCC4.5~5.5V-0.5—0.8V输出高电平 VOHIOH -1.0mA2.4——V输出低电平 VOLIOL 2.1mA——0.4V输入漏电流 ILIVCC ≥ VIN ≥ VSS-1—1μA输出漏电流 ILO输出禁用状态-1—1μA⚠️SL与SLI后缀说明手册中SL和SLI均为-40℃~85℃工业级温度范围。区别在于待机电流的测试温度条件——SL在25℃下测试SLI在40℃下测试后者条件更严苛。三、读写时序分析3.1 读周期时序Read CycleLY62256B 支持三种读模式模式一地址控制读Address Controlled Read地址稳定后数据在 tAA≤45ns内有效/WE 必须保持高电平模式二/CE 控制读Chip Enable Controlled Read/CE 拉低后数据在 tACE≤45ns内有效/OE 需配合为低电平适合多片 SRAM 共享总线的场景模式三/OE 控制读Output Enable Controlled Read/OE 拉低后数据在 tOE≤20ns内有效可用于总线冲突避免读周期完整时序参数45ns版本参数符号最小值最大值单位读周期时间tRC45—ns地址访问时间tAA—45ns/CE访问时间tACE—45ns/OE访问时间tOE—20ns/CE到低阻态tCLZ10—ns/OE到低阻态tOLZ5—ns/CE到高阻态tCHZ—15ns/OE到高阻态tOHZ—15ns输出保持时间tOH10—ns3.2 写周期时序Write Cycle支持两种写模式/WE 控制写Write Enable Controlled/WE 低电平期间配合有效地址和输入数据完成写入写脉冲宽度 tWP ≥ 35ns45SLI 版本/CE 控制写Chip Enable Controlled/CE 低电平 /WE 低电平共同控制写使能适合多片选址场景写周期完整时序参数45ns版本参数符号最小值最大值单位写周期时间tWC45—ns地址有效到写结束tAW40—ns/CE有效到写结束tCW40—ns地址建立时间tAS0—ns写脉冲宽度tWP35—ns写恢复时间tWR0—ns数据建立时间tDW20—ns数据保持时间tDH0—ns⚠️关键设计注意写周期中地址建立时间 tAS 0ns地址可与/CE同时变化数据建立时间 tDW ≥ 20ns。设计时需确保 MCU 的 FSMC/EMI 时序满足以上约束。四、引脚定义与封装信息4.1 引脚功能表表格引脚名类型功能描述A0 ~ A14输入15位地址总线可寻址32,768个存储单元DQ0 ~ DQ7双向8位数据总线输入/输出/CE (CE#)输入芯片使能低电平有效/OE (OE#)输入输出使能低电平有效/WE (WE#)输入写使能低电平有效VCC电源电源输入2.7V ~ 5.5VVSS地接地GND4.2 封装类型数据手册 Rev.1.2 提供两种 28 引脚封装封装类型引脚数标称尺寸引脚间距SOP(330mil宽体)28-pin18.5mm × 8.6mm (MAX)1.27mmSTSOP(薄型缩小型)28-pin11.8mm × 8.0mm (NOM)0.55mmSOP封装关键尺寸手册值符号MINNOMMAX单位D (长度)——18.491mmE (宽度)——8.636mmE1 (本体宽)—11.811±0.305—mmA (高度)——3.048mme (引脚间距)—1.270—mmSTSOP封装关键尺寸手册值符号MINNOMMAX单位D11.6011.8012.00mmE7.808.008.20mmHD13.2013.4013.60mmA1.001.101.20mme—0.55—mm⚠️重要数据手册 Rev.1.2 已删除 28-pin 600mil P-DIP 封装当前仅有上述两种 28 引脚表面贴装封装。4.3 引脚排列示意图28-pin SOP顶视图┌──────────────────────────┐ VCC ─│ 28 27 │─ A12 /WE ─│ 26 25 │─ A7 A13 ─│ 24 23 │─ A6 A8 ─│ 22 21 │─ A5 A9 ─│ 20 LY62256B 19 │─ A4 A11 ─│ 18 17 │─ A3 /OE ─│ 16 15 │─ A2 A10 ─│ 14 13 │─ A1 /CE ─│ 12 11 │─ A0 DQ7 ─│ 10 9 │─ DQ0 DQ6 ─│ 8 7 │─ DQ1 DQ5 ─│ 6 5 │─ DQ2 DQ4 ─│ 4 3 │─ DQ3 VSS ─│ 2 1 │─ NC └──────────────────────────┘ ↓ Pin 1 标记侧⚠️ 注以上为根据功能框图和引脚描述整理的引脚排列示意图用于开发参考。实际PCB设计请以Lyontek官方封装尺寸图Package Outline Dimension为准。五、功耗特性与低功耗设计5.1 功耗对比分析以下对比 LY62256BSL-45SLI 与传统62256 的功耗差异参数LY62256BSL-45SLI (CMOS)传统CY62256 (CMOS)提升幅度工作电流 ICC 45ns12mA (typ) / 18mA (max)30~40mA↓ 60~70%待机电流 ISB1 25℃1μA (typ) / 3μA (max)100~300μA↓ 99.7%待机电流 ISB1 85℃7μA (max)500~1000μA↓ 98.6%数据保持电压1.5V2.0V更低工作电压范围2.7~5.5V4.5~5.5V更宽5.2 待机电流温度特性手册值测试条件封装温度典型值最大值/CE ≥ VCC-0.2VSL25℃1μA3μA/CE ≥ VCC-0.2VSLI40℃1.5μA3.5μA/CE ≥ VCC-0.2VSL-40℃~85℃—7μA/CE ≥ VCC-0.2VSLI-40℃~85℃—12μA5.3 电池续航估算以3.3V / 1000mAh 锂电池供电、99%时间待机、1%时间工作的典型场景平均电流 99% × 1μA 1% × 12mA ≈ 0.99μA 120μA ≈ 121μA 续航时间 1000mAh / 0.121mA ≈ 8264 小时 ≈ 344 天约11个月如果纯待机不工作续航时间 1000mAh / 0.001mA 1,000,000 小时 ≈ 114 年理论值设计建议利用 /CE 引脚控制芯片使能MCU 休眠前将 /CE 拉高进入待机模式可将系统待机功耗降至 1μA 级别。六、典型应用场景6.1 按行业分类 工业控制-40℃~85℃ 全温区优势PLC控制器梯形图程序缓存、I/O状态表工业网关Modbus/Profinet协议转换缓冲DAQ模块多通道ADC采样数据FIFO运动控制G-code解析缓存、插补数据 通信设备企业路由器路由表Cache、ACL规则缓存交换机MAC地址表、VLAN配置缓存基站BTS小区参数、信道配置存储️ 消费电子激光打印机页面描述语言(PCL)解析缓存POS终端交易数据临时存储、掉电保护安防DVR视频帧缓冲、事件日志 汽车电子车载IVI音频缓冲、UI资源缓存BCM模块车身状态、故障码存储T-BoxOTA升级包缓冲 医疗设备低功耗电池供电优势便携式心电图仪ECG采样数据缓存血氧仪PPG信号缓冲胰岛素泵给药记录、报警日志 仪器仪表数字示波器波形采样数据缓存频谱分析仪FFT中间结果缓存数据记录仪多通道传感器数据FIFO6.2 应用选型速查应用需求推荐型号关键理由电池供电/便携设备LY62256BSL-45SLI1μA待机电流 25℃严苛温度环境LY62256BSL-45SLI-40℃~85℃待机电流全温区≤7μA频繁读写缓存LY62256BSL-45SLI无限写入寿命5V/3.3V混合系统LY62256BSL-45SLI2.7~5.5V宽压兼容高速数据采集IS62C256AL-4545ns 更高IO驱动小尺寸PCBLY62256BRL-45SLISTSOP薄型封装七、常见问题FAQQ1LY62256BSL-45SLI的主要参数是什么A核心参数如下存储架构32,768 × 8bit32K×8总容量256Kb262,144 bits访问时间45ns读取/写入周期工作电压2.7V ~ 5.5V待机电流1μAtyp 25℃/ 3μAmax 25℃/ 7μAmax 全温区数据保持电压1.5V最低温度范围-40℃ ~ 85℃工业级封装28-pin 330mil SOP / 28-pin 8mm×13.4mm STSOP引脚兼容标准 62256 Pin-to-PinQ2这款SRAM的读写速度怎么样A读取访问时间 tAA 45ns输出使能访问时间 tOE ≤ 20ns写周期时间 tWC 45ns。这一速度等级可满足8位/16位MCU外部总线无需等待周期STM32 FSMC接口DataSetupTime6即可满足显示缓冲、打印缓存、工业数据缓存等实时应用Q3通常用在哪些设备里ALY62256BSL-45SLI广泛应用于工业控制PLC、工业网关、DAQ模块、运动控制器通信设备路由器、交换机、基站控制板消费电子打印机缓存、POS机、安防DVR汽车电子车载IVI、BCM、T-Box医疗设备便携式监护仪、血氧仪、胰岛素泵仪器仪表数字示波器、频谱分析仪、数据记录仪核心适用场景特征低功耗需求工业级温度频繁读写。Q4封装类型是什么ALY62256BSL-45SLI提供两种28引脚封装28-pin 330mil SOP宽体小外形封装尺寸约 18.5mm × 8.6mmMAX1.27mm引脚间距28-pin 8mm×13.4mm STSOP薄型缩小型封装尺寸约 11.8mm × 8.0mmNOM0.55mm引脚间距两种封装均为标准28引脚排列Pin-to-Pin Compatible可直接替换Cypress CY62256、ISSI IS62C256A等同类产品。手册当前版本仅提供28引脚封装无32引脚版本。Q5电压要求是多少A正常工作电压2.7V ~ 5.5V兼容3.3V和5V系统数据保持电压最低1.5V掉电模式下数据不丢失输入高电平 VIH≥ 2.2V3.3V系统/ ≥ 0.5VCC5V系统输入低电平 VIL≤ 0.6V3.3V系统/ ≤ 0.8V5V系统设计提示在3.3V系统中可直接连接无需电平转换。如果用于5V→3.3V混合系统2.7V最低工作电压提供了良好的兼容性裕量。Q6寿命有多长A写入耐久性无限次SRAM基于6T触发器无写入磨损数据保持需持续供电SRAM为易失性存储器数据保持电压最低1.5V即可保持数据全静态操作无需刷新周期失效率7.57 FIT 70℃实测值来源Lyontek可靠性报告ESD防护HBM 4kV / CDM 1.2kV实测值Latch-up免疫400mA实测值⚠️ 注意SRAM为易失性存储器断电后数据丢失。如需掉电保持需外加后备电池如CR2032纽扣电池二极管隔离电路利用1.5V数据保持电压特性实现电池备份。Q7温度范围是多少A工业级-40℃ ~ 85℃。全温度范围内待机电流 SL ≤ 7μAmaxSLI ≤ 12μAmax读写时序参数保持 45ns 规格数据保持电压保持 1.5VminQ8LY62256和LY62256B有什么区别ALY62256不带B为旧版本已EOL停产LY62256B带B为当前替代版本是来扬官方唯一在售的型号。替代原因晶圆厂制程EOL。两者在电性功能、品质和可靠性方面完全兼容。替代版本统一提供工业级-40℃~85℃不再提供商业等级。版权声明本文为技术资料整理参数分别核对于Lyontek LY62256B Datasheet Rev.1.2、可靠性报告310-9N8-AL1 Rev.A及官方PCN文件。如涉及芯片采购请通过正规授权渠道以确保产品质量。
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