NE4912 25V 3A 双节电池充管理芯片NE4912 是一款 3A 双节电池充管理芯片它采用500KHz 同步降压变换器拓扑以减少充电期间的功耗损失。品牌星云半导体NEBULA产品特色输入电压范围4V ~ 22V最大充电率的动态输入电流分配最大充电电流3A无需外接MOSFET 或限流二极管效率达93%恒流/恒压操作具有热调节功能最大限度地提高充电率不会出现过热风险充电前和充电过程中可选的电池温度监控低功耗自动休眠模式过流保护符合RoHS 标准100%无铅采用ESOP-8 和DFN-10 封装产品详情NE4912 是一款 3A 双节锂离子电池充管理芯片它采用500KHz 同步降压变换器拓扑以减少充电期间的功耗损失。低功耗内部 MOSFET 让充电器体积做得很小可以广泛应用于嵌入的手持设备应用。NE4912 包括完整的充电终止和自动充电电路充满电压 8.4V精度±1%。充电电流通过外部电阻设置。有短路检测过温保护等功能。行业应用便携式媒体播放器无线电话和智能手机PDA/DSC手持电池供电设备手持电脑充电模块电子烟应用原理图
NE4912 25V 3A 双节电池充管理芯片
NE4912 25V 3A 双节电池充管理芯片NE4912 是一款 3A 双节电池充管理芯片它采用500KHz 同步降压变换器拓扑以减少充电期间的功耗损失。品牌星云半导体NEBULA产品特色输入电压范围4V ~ 22V最大充电率的动态输入电流分配最大充电电流3A无需外接MOSFET 或限流二极管效率达93%恒流/恒压操作具有热调节功能最大限度地提高充电率不会出现过热风险充电前和充电过程中可选的电池温度监控低功耗自动休眠模式过流保护符合RoHS 标准100%无铅采用ESOP-8 和DFN-10 封装产品详情NE4912 是一款 3A 双节锂离子电池充管理芯片它采用500KHz 同步降压变换器拓扑以减少充电期间的功耗损失。低功耗内部 MOSFET 让充电器体积做得很小可以广泛应用于嵌入的手持设备应用。NE4912 包括完整的充电终止和自动充电电路充满电压 8.4V精度±1%。充电电流通过外部电阻设置。有短路检测过温保护等功能。行业应用便携式媒体播放器无线电话和智能手机PDA/DSC手持电池供电设备手持电脑充电模块电子烟应用原理图
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