故障积累——RAM存储的

紫光PG3T500-6IFFBG676芯片出现CRC误码的FPGA 位置不固且软复位后误码继续出现客户端发现问题后定位到不同单板出现误码的bit 位不一致且相同单板每次出问题的bit 位也不固定。紫光目前发现失效和DRM 模块的VCC 与VCC_DRM 的压差强相关。测试显示当VCCVCC_DRM 时没有失效当VCC≤VCC_DRM 会有可能失效。【写操作工作原理】如上图所示QB 由1 写为0 时Bitline write drive NM0 和NM1 通过PG2 对QB 放电而PU2 则保持上拉PU2 和PG2 竞争。PU2 属VCC_DRM 电源域PG2、NM0 和NM1 属VCC 电源域。VCC_DRM 电源域为SRAM 阵列电源域IR drop 较小VCC 电源域为FPGA core 电源域IR drop 较VCC_DRM 大【写失效机理】1、当VCCVCC_DRM 的时候会造成外部的写操作驱动变弱当压差超过一定范围就会导致写失效2、当N-MOS 管工艺偏慢的时候会造成写驱动变弱工艺偏差超出设计边界或有制造缺陷的cell 可能出现写失效。当上述两个条件有1 个或多个时出现时都有可能导致写失效。