MRAM存储芯片-1Mb密度SPI串行接口MRAM

作为新一代非易失性存储器件MRAM存储芯片凭借电子自旋存储核心技术融合了高速读写、长久存数、低功耗的多重优势突破了传统闪存、EEPROM存储器件的性能短板成为通用存储领域的优质解决方案广泛适配数据中心、云存储、汽车运输等多领域场景。英尚微电子代理Everspin原厂推出的高性价比MRAM存储芯片——MR25H10CDCR。MR25H10CDCR是一款1Mb存储密度的串行接口MRAM存储芯片存储架构为128K×8标配8-DFN封装适配3.3V常规工作电压兼容2.7V-3.6V宽电压工作区间。该芯片完美兼容串行EEPROM、串行闪存的读写时序彻底解决了传统存储芯片的写入延迟问题同时具备无限次读写耐久度随机读写无间隔大幅提升嵌入式设备的数据存储与调取效率。设备断电后可自动完成数据保护常温环境下数据留存时长超20年搭配块写保护功能有效规避数据误删、丢失风险。其搭载的高速SPI串行接口时钟速率最高可达40MHz接口简洁、适配便捷仅需少量I/O引脚即可完成数据交互适配小型化、轻量化设备的开发需求。同时芯片支持低电流睡眠模式运行功耗更低契合工业设备节能需求。MR25H10CDCR支持双温区工作标准常规工业级温度范围为-40℃至85℃另有AEC-Q100 1级选型可耐受-40℃至125℃极端高温环境可稳定应用于工业控制、车载设备等严苛工况场景。MRAM存储芯片产品采用符合RoHS标准的8引脚DFN封装可直接替代市面主流串行EEPROM、闪存、FeRAM芯片兼容性极强。目前Everspin正规代理英尚微可为客户提供该款MRAM存储芯片的全套技术支持与落地适配服务。