PROM、SRAM、NOR Flash的特点与区别

特性SRAMDRAMPROMEEPROMNOR FlashNAND Flash全称静态随机存储器动态随机存储器可编程只读存储器电可擦除只读存储器或非闪存与非闪存易失性易失易失非易失非易失非易失非易失是否需刷新不需要需要不需要不需要不需要不需要最小读写单位字节字节字节字节字节 (读) / 块 (擦写)页 / 块读取速度极快 (ns 级)快 (ns 级)中中快 (接近 RAM)较慢写入 / 擦除速度极快快一次性写入慢 (ms)很慢 (ms)较快可编程次数无限无限1 次 (OTP)万十万次10 万次左右10 万次左右单元结构6 管触发器1 管 1 电容熔丝 / 反熔丝浮栅浮栅浮栅成本 / 密度贵、密度低便宜、密度高便宜、低贵、密度低较贵、中便宜、密度极高能否 XIP (片上执行)能能能能能不能典型用途CPU 缓存、寄存器内存 (RAM)早期固件、序列号小参数、密钥BIOS、Boot、固件U 盘、SSD、存储卡SRAM最快、最贵、断电丢数据 → 做缓存DRAM快、便宜、要刷新 → 做内存PROM一次性写入、不能改 → 老古董 OTPEEPROM可按字节改、慢、贵 → 存少量配置NOR Flash读快、可直接跑代码、擦写慢 → 存启动固件NAND Flash容量大、便宜、不能直接跑代码 → 存大量数据