D1011UK，28V电压下10W输出500MHz频段实现50%漏极效率功率晶体管

简介今天我要向大家介绍的是TT Electronics/Semelab的DMOS RF FET晶体管——D1011UK。这是一款专为HF/VHF/UHF通信频段1 MHz至1GHz设计的金金属化多用途硅RF功率场效应管采用SO8封装单端架构在28V工作电压下可提供10W的输出功率。作为一款高性能射频器件它具备极低的反向传输电容和低噪声特性极大简化了放大器设计其简单的偏置电路与优异的宽带适用性确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行支持20:1的负载失配容忍度是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。主要特性类型 金金属化多用途硅DMOS RF FET单端工作条件 VDS 28VIDQ 0.1Af 500MHz输出功率 10W功率增益 13 dB 最小值在10W输出500MHz下漏极效率 50%典型值在10W输出500MHz下灵敏度/容差 负载失配容忍度 20:1 VSWR反向传输电容 极低典型值2.5 pF漏源击穿电压 70V热阻 结到外壳最大 6°C/W工作/存储温度 -65°C 至 150°C存储温度最高结温200°C封装特性 SO8封装RoHS合规应用HF/VHF/UHF通信系统1 MHz至1GHz宽带射频放大器应用简化设计的射频功率放大模块工业及要求高增益、高效率的射频发射设备相关型号D1012UKD1013UKD1014UKD1015UKD1016UKD1017UKD1018UKD1019UKD1020UKD1021UKD1022UKD1023UKD1024UKD1025UKD1027UK