D1016UK，1MHz至1GHz宽带适用的低噪声高效率射频功率晶体管 简介今天我要向大家介绍的是TT Electronics/Semelab的DMOS RF FET晶体管——D1016UK。这是一款专为VHF/UHF通信频段1 MHz至1GHz设计的金金属化多用途硅RF功率场效应管采用推挽式架构在28V工作电压下可提供40W的输出功率。作为一款高性能射频器件它具备极低的反向传输电容和低噪声特性极大简化了放大器设计其简单的偏置电路与优异的宽带适用性确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行支持20:1的负载失配容忍度是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。主要特性类型 金金属化多用途硅DMOS RF FET推挽式/Push-Pull工作条件 VDS 28VIDQ 0.4Af 400MHz输出功率 40W功率增益 13 dB 最小值在40W输出400MHz下漏极效率 60%典型值在40W输出400MHz下灵敏度/容差 负载失配容忍度 20:1 VSWR反向传输电容 极低典型值2.5 pF漏源击穿电压 70V热阻 结到外壳最大 1.75°C/W工作/存储温度 -65°C 至 150°C存储温度最高结温200°C封装特性 金属法兰封装引脚1为源极公共端引脚2/3为漏极1/2引脚4/5为栅极1/2应用VHF/UHF通信系统1 MHz至1GHz宽带射频放大器应用简化设计的射频功率放大模块工业及要求高增益、高效率的射频发射设备相关型号D1017UKD1018UKD1019UKD1020UKD1021UKD1022UKD1023UKD1024UKD1025UKD1027UKD1028UKD1029UKD1030UKD1031UKD1034UK