基于simulink的单相全桥逆变器

目录一、为什么要加入 寄生参数（Parasitic）二、目标（本次仿真）三、关键参数四、Simulink 建模（手把手）4.1 Step 1️⃣ —— 功率级（三种可切换）■ DC‑Link + 杂散电感■ 开关选型■ 全‑Bridge → LC → R_load（同前几篇）4.2 Step 2️⃣ —— PWM（同前）4.3 Step 3️⃣ —— 运行 Scenario五、结果解读（典型）✅ 理想 Switch（无寄生）✅ MOSFET + Lstray​=50nH,Coss​=80pF✅ IGBT + Lstray​=100nH六、抑制 / 工程化处理（Sim 中可加）七、结论（重点 ✅）八、可扩展方向（你要我就写）一、为什么要加入寄生参数（Parasitic）理想开关仿真往往得到：完美方波电压无过冲 / 振铃（Ringing）无开通 / 关断损耗但实际IGBT / MOSFET​ 都有：寄生影响Coss​(Vds​)输出电容容性开通损耗、ZVS 判定、dv/dt 限制Ciss​,Crss​（Mi