型号介绍HMC451LP3ETR是一款5~18 GHz频段砷化镓赝配高电子迁移率晶体管GaAs PHEMT单片微波集成电路MMIC中功率放大器隶属于 HMC451LP3 系列采用无引脚符合 RoHS 标准的表面贴装封装。该器件为单电源供电射频放大芯片输入、输出端均做 50Ω 阻抗匹配且内置隔直功能无需额外搭配外围射频器件支持表面贴装量产工艺省去键合工序可广泛应用于微波通信、军工航天、测试测量、光纤通信及混频器本振驱动等场景。芯片采用16 引脚 3×3mm LFCSP 小型封装占用 PCB 面积仅 9mm²布局适配性强。主要特性射频性能工作频段 5~18 GHz5~16 GHz 典型增益 18 dB16~18 GHz 典型增益 16 dB全频段典型噪声系数 7 dB。功率指标5~16 GHz 饱和输出功率典型值 21 dBm功率附加效率PAE18%1dB 压缩点输出功率典型 19.5 dBm5~16 GHz输出三阶交调点 IP3 典型 28 dBm5~16 GHz。端口匹配输入、输出端原生 50Ω 阻抗匹配射频端口内置隔直设计全频段输入回波损耗典型 13 dB输出回波损耗 8~12 dB。供电与功耗单路 5V 直流供电典型工作电流 120 mA工作电压范围 4.5V~5.5V。环境与稳定性增益温漂仅 0.02~0.03 dB/℃工作温度范围 **-40℃ ~ 85℃**存储温度 - 65℃ ~ 150℃具备 ESD 防护能力人体模型 ESD 等级 1A可耐受 250V 静电。封装工艺16 引脚 3×3mm LFCSP 封装应用领域微波无线电射频测试设备、传感器模块光纤通信射频链路HMC 系列混频器本振驱动模块相关型号RTS5420-GRALC5640-VB-CGRTL8231-GRRTL8218EI-VH-CGRTS5411T-GRALC269Q-VC3ALC888S-VD2-GRALC897-VA2-CGRTD2166-CGLTC5591IUHLTC5592IUHADXRS453BEYZADXRS453BRGZAD9253TCPZ-125EPAD9081-FMCA-EBZ
HMC451LP3ETR、5-18GHz高增益射频功率放大器
发布时间:2026/6/11 20:23:54
型号介绍HMC451LP3ETR是一款5~18 GHz频段砷化镓赝配高电子迁移率晶体管GaAs PHEMT单片微波集成电路MMIC中功率放大器隶属于 HMC451LP3 系列采用无引脚符合 RoHS 标准的表面贴装封装。该器件为单电源供电射频放大芯片输入、输出端均做 50Ω 阻抗匹配且内置隔直功能无需额外搭配外围射频器件支持表面贴装量产工艺省去键合工序可广泛应用于微波通信、军工航天、测试测量、光纤通信及混频器本振驱动等场景。芯片采用16 引脚 3×3mm LFCSP 小型封装占用 PCB 面积仅 9mm²布局适配性强。主要特性射频性能工作频段 5~18 GHz5~16 GHz 典型增益 18 dB16~18 GHz 典型增益 16 dB全频段典型噪声系数 7 dB。功率指标5~16 GHz 饱和输出功率典型值 21 dBm功率附加效率PAE18%1dB 压缩点输出功率典型 19.5 dBm5~16 GHz输出三阶交调点 IP3 典型 28 dBm5~16 GHz。端口匹配输入、输出端原生 50Ω 阻抗匹配射频端口内置隔直设计全频段输入回波损耗典型 13 dB输出回波损耗 8~12 dB。供电与功耗单路 5V 直流供电典型工作电流 120 mA工作电压范围 4.5V~5.5V。环境与稳定性增益温漂仅 0.02~0.03 dB/℃工作温度范围 **-40℃ ~ 85℃**存储温度 - 65℃ ~ 150℃具备 ESD 防护能力人体模型 ESD 等级 1A可耐受 250V 静电。封装工艺16 引脚 3×3mm LFCSP 封装应用领域微波无线电射频测试设备、传感器模块光纤通信射频链路HMC 系列混频器本振驱动模块相关型号RTS5420-GRALC5640-VB-CGRTL8231-GRRTL8218EI-VH-CGRTS5411T-GRALC269Q-VC3ALC888S-VD2-GRALC897-VA2-CGRTD2166-CGLTC5591IUHLTC5592IUHADXRS453BEYZADXRS453BRGZAD9253TCPZ-125EPAD9081-FMCA-EBZ