Everspin高性能8位并行接口MRAM存储器

Everspin推出的MR4A08B系列凭借其8位并行接口和出色的非易失性特性正逐渐成为替代传统SRAM、EEPROM甚至Flash的热门选择。MR4A08B是一颗容量为16,777,216位的MRAM芯片内部组织为2,097,152个8位字非常适合那些需要长期保存关键数据、同时又要求快速读取和写入的应用场景。可承受-40°C至125°C的严苛温度环境读写周期为45纳秒。同时满足MSL-3湿度敏感等级及RoHS环保标准。无论是工业自动化设备中的运行参数还是车载系统里的故障日志这款Everspin存储器都能在断电后完整保留信息无需像普通SRAM那样额外加装电池。与传统的SRAM相比Everspin MR4A08B最大的优势在于断电数据不丢失——系统掉电后无需担心RAM内容消失也省去了外接电池或超级电容的麻烦。而对比Flash或EEPROMMRAM不仅有纳秒级的读写速度还拥有无限的读写耐久性不存在写磨损问题。此外它的时序与标准SRAM完全兼容可以直接替换现有电路板上的SRAM、BBSRAM或EEPROM无需修改控制器逻辑。Everspin高性能8位并行接口MRAM存储器性能参数①读写速度35纳秒标准商业/工业级45纳秒汽车级②耐用性理论上的无限读写次数远超Flash/EEPROM的擦写寿命限制③数据保持Everspin存储器非易失状态下数据可保留20年以上④工作电压3.3V单电源供电⑤封装形式44针TSOP 2型薄型小外形封装兼容常见低功耗SRAM引脚排列everspin代理商英尚微支持技术指导及产品解决方案。